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美开发新型纳米内存器件电脑数据可存储10万年

发布时间:2020-03-20 10:22:55阅读:来源:凯锐试验机

你是不是想像过这类情形:在一个很小的内存器件中存储数百部高分辨率电影,并且不用等待数据缓冲就可以下载并播放它们;或在无需将操作系统转移到有源内存的情况下,你的笔记本电脑在短短几秒钟内就可以启动?美国宾夕法尼亚大学研究人员已开发出的一种新型纳米器件,或许能将这些想象变成现实.这类纳米器件能存储10万年的电脑数据,检索数据的速度比现有的,像闪存和微型硬盘之类的便携式存储装备快1000倍,而且比目前的内存技术更省电、存储空间更小.

该校材料科学与工程系副教授阿格瓦尔及同事采取自组装工艺,用纳米金属催化剂作为媒介,使化学反应剂在低温下结晶,自发构成了直径为30—50纳米、长度为10微米的纳米线.这类纳米线是一种能在非晶和晶体结构间实现开关功能的相变材料,是对电脑内存进行读写的关键. 研究人员对最后定型的纳米线进行了丈量,丈量数据包括“写”电流幅值、在非晶和晶相之间开关的速度、长时间稳定性和数据保存的时间.测试结果显示,数据编码的功耗极低,数据写、擦除和检索的时间仅为50纳秒,比普通闪存快1000倍.而且这个器件乃至用上10万年也不会丢失数据,这就为实现万亿位的非易失性内存密度提供了可能.对非易失性内存运用来讲,在电流感应相变系统中,原子级的纳米器件也许是终究的尺寸极限. 研究人员称,相变内存技术相较于闪存等其他内存技术具有读写快、稳定性高、构建简单的特点.通过常规光刻技术,在不破坏有效性能的情况下就能下降相变材料的尺寸.这类新型内存对消费者同享信息、传输数据乃至下载文娱资料的方式将产生革命性的影响,消费者将能获得和存储“海量”的数据.《科技日报》消息

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